InGaAS-APD मॉड्यूल मालिका
| फोटोइलेक्ट्रिक वैशिष्ट्ये (＠Ta＝22±3℃) | |||
| मॉडेल | GD6510Y | GD6511Y | GD6512Y |
| पॅकेज फॉर्म | TO-8 | TO-8 | TO-8 |
| प्रकाशसंवेदनशील पृष्ठभागाचा व्यास (मिमी) | 0.2 | ०.५ | ०.०८ |
| वर्णक्रमीय प्रतिसाद श्रेणी (nm) | 1000~1700 | 1000~1700 | 1000~1700 |
| ब्रेकडाउन व्होल्टेज (V) | ३०~७० | ३०~७० | ३०~७० |
| उत्तरदायित्व M=10 l=1550nm(kV/W) | ३४० | ३४० | ३४० |
| उठण्याची वेळ (ns) | 5 | 10 | २.३ |
| बँडविड्थ (MHz) | 70 | 35 | 150 |
| समतुल्य आवाज शक्ती (pW/√Hz) | 0.15 | 0.21 | 0.11 |
| कार्यरत व्होल्टेज तापमान गुणांक T=-40℃~85℃(V/℃) | 0.12 | 0.12 | 0.12 |
| एकाग्रता (μm) | ≤50 | ≤50 | ≤50 |
| जगभरात समान कामगिरीचे पर्यायी मॉडेल | C3059-1550-R2A | / | C3059-1550-R08B |
फ्रंट प्लेन चिप स्ट्रक्चर
जलद प्रतिसाद
उच्च डिटेक्टर संवेदनशीलता
लेझर श्रेणी
लिडर
लेझर चेतावणी
फ्रंट प्लेन चिप स्ट्रक्चर
जलद प्रतिसाद
उच्च डिटेक्टर संवेदनशीलता
लेझर श्रेणी
लिडर
लेझर चेतावणी
