चार-चतुर्थांश पिन सिंगल ट्यूब मालिका
| फोटोइलेक्ट्रिक वैशिष्ट्ये (पाTa＝22±3℃) | |||||||||
| मॉडेल | GT111 | GT112 | GD3250Y | GD3249Y | GD3244Y | GD3245Y | GD32413Y | GD32414Y | GD32415Y |
| पॅकेज फॉर्म | TO-8 | TO-8 | TO-8 | TO-20 | TO-31-7 | TO-31-7 | MBCY026-P6 | TO-8 | MBCY026-W7W |
| प्रकाशसंवेदनशील पृष्ठभागाचा आकार (मिमी) | Φ4 | Φ6 | Φ8 | Φ१० | Φ१० | Φ१६ | Φ१४ | Φ5.3 | Φ11.3 |
| वर्णक्रमीय प्रतिसाद श्रेणी (nm) | ४००~११०० | ४००~११०० | ४००~११०० | ४००~११०० | ४००~११०० | ४००~११०० | ४००~११०० | ४००~११५० | ४००~११५० |
| पीक प्रतिसाद तरंगलांबी (nm) | 980 | 980 | 980 | 980 | 980 | 980 | 980 | 980 | 980 |
| उत्तरदायित्व λ=1064nm(A/W) | ०.३ | ०.३ | ०.३ | ०.३ | ०.४ | ०.४ | ०.४ | ०.५ | ०.५ |
| गडद प्रवाह (nA) | ५(VR=40V) | ७(VR=40V) | १० (व्हीR=40V) | १५ (व्हीR=40V) | २० (व्हीR=135V) | ५० (व्हीR=135V) | ४० (व्हीR=135V) | ४.८(VR=140V) | ≤20(VR=180V) |
| उदय वेळ = 1064nm RL = 50Ω (ns) | १५ (व्हीR=40V) | २० (व्हीR=40V) | २५ (व्हीR=40V) | ३० (व्हीR=40V) | २० (व्हीR=135V) | ३० (व्हीR=135V) | २५ (व्हीR=135V) | १५ (व्हीR=140V) | २० (व्हीR=180V) |
| जंक्शन कॅपेसिटन्स f=1MHz(pF) | ५(VR=10V) | ७(VR=10V) | १० (व्हीR=10V) | १५ (व्हीR=10V) | १० (व्हीR=135V) | १० (व्हीR=135V) | १६ (व्हीR=135V) | ४.२(VR=140V) | १० (व्हीR=180V) |
| ब्रेकडाउन व्होल्टेज (V) | 100 | 100 | 100 | 100 | 300 | 300 | 300 | ≥३०० | ≥२५० |
कमी गडद प्रवाह
उच्च प्रतिसाद
चांगली चतुर्थांश सुसंगतता
लहान आंधळा स्पॉट
लेझर लक्ष्य, मार्गदर्शन ट्रॅकिंग आणि अन्वेषण उपकरण
लेझर मायक्रो-पोझिशनिंग, विस्थापन निरीक्षण आणि इतर अचूक मापन प्रणाली
कमी गडद प्रवाह
उच्च प्रतिसाद
चांगली चतुर्थांश सुसंगतता
लहान आंधळा स्पॉट
लेझर लक्ष्य, मार्गदर्शन ट्रॅकिंग आणि अन्वेषण उपकरण
लेझर मायक्रो-पोझिशनिंग, विस्थापन निरीक्षण आणि इतर अचूक मापन प्रणाली
