905nmAPD सिंगल ट्यूब मालिका
फोटोइलेक्ट्रिक वैशिष्ट्ये (@Ta=22±3℃) | |||||||||
मॉडेल | GD5210Y-2-2-T046 | GD5210Y-2-5-T046 | GD5210Y-2-8-T046 | GD5210Y-2-2-LCC3 | GD5210Y-2-5-LCC3 | GD5210Y-2-2-P | GD5210Y-2-5-P | रचना | |
पॅकेज फॉर्म | TO-46 | TO-46 | TO-46 | LCC3 | LCC3 | प्लास्टिक पॅकेजिंग | प्लास्टिक पॅकेजिंग | पीसीबी | |
प्रकाशसंवेदनशील पृष्ठभागाचा व्यास (मिमी) | 0.23 | ०.५० | ०.८० | 0.23 | ०.५० | 0.23 | ०.५० | सानुकूलित | |
वर्णक्रमीय प्रतिसाद श्रेणी (nm) | ४००~११०० | ४००~११०० | ४००~११०० | ४००~११०० | ४००~११०० | ४००~११०० | ४००~११०० | ४००~११०० | |
पीक प्रतिसाद तरंगलांबी (nm) | 905 | 905 | 905 | 905 | 905 | 905 | 905 | 905 | |
प्रतिसाद λ=905nm Φ=1μW M=100 (A/W) | 55 | 55 | 55 | 55 | 55 | 55 | 55 | 55 | |
गडद प्रवाह M=100(nA) | ठराविक | 0.2 | ०.४ | ०.८ | 0.2 | ०.४ | 0.2 | ०.४ | फोटोसेन्सिटिव्हिटीनुसार |
कमाल | १.० | १.० | २.० | १.० | १.० | १.० | १.० | एका बाजूला | |
प्रतिसाद वेळ λ=905nm R1=50Ω(ns) | ०.६ | ०.६ | ०.६ | ०.६ | ०.६ | ०.६ | ०.६ | प्रकाशसंवेदनशील पृष्ठभागानुसार | |
कार्यरत व्होल्टेज तापमान गुणांक T=-40℃~85℃(V/℃) | ०.९ | ०.९ | ०.९ | ०.९ | ०.९ | ०.९ | ०.९ | ०.९ | |
एकूण क्षमता M=100 f=1MHz(pF) | १.० | १.२ | २.० | १.० | १.२ | १.० | १.२ |
प्रकाशसंवेदनशील पृष्ठभागानुसार | |
ब्रेकडाउन व्होल्टेज IR=10μA(V) | किमान | 130 | 130 | 130 | 130 | 130 | 130 | 130 | 160 |
कमाल | 220 | 220 | 220 | 220 | 220 | 220 | 220 | 200 |
फ्रंट प्लेन चिप स्ट्रक्चर
उच्च गती प्रतिसाद
उच्च लाभ
कमी जंक्शन कॅपेसिटन्स
कमी आवाज
अॅरे आकार आणि प्रकाशसंवेदी पृष्ठभाग सानुकूलित केले जाऊ शकते
लेझर श्रेणी
लिडर
लेझर चेतावणी