900nm Si PIN photodiode
वैशिष्ट्ये
- समोरील बाजूने प्रकाशित रचना
- कमी गडद प्रवाह
- उच्च प्रतिसाद
- उच्च विश्वसनीयता
अर्ज
- ऑप्टिकल फायबर कम्युनिकेशन, सेन्सिंग आणि रेंजिंग
- UV ते NIR पर्यंत ऑप्टिकल डिटेक्शन
- जलद ऑप्टिकल-पल्स शोध
- उद्योगासाठी नियंत्रण प्रणाली
फोटोइलेक्ट्रिक पॅरामीटर (@Ta=25℃)
आयटम # | पॅकेज श्रेणी | प्रकाशसंवेदनशील पृष्ठभागाचा व्यास(मिमी) | स्पेक्ट्रल प्रतिसाद श्रेणी (nm) |
पीक प्रतिसाद तरंगलांबी (nm) | उत्तरदायित्व(A/W) λ=900nm
| उगवण्याची वेळ λ=900nm VR=15V RL=50Ω(ns) | गडद प्रवाह VR=15V (nA) | जंक्शन कॅपेसिटन्स व्हीR=15V f=1MHz (pF) | ब्रेकडाउन व्होल्टेज (V)
|
GT101Ф0.2 | समाक्षीय प्रकार II, 5501, TO-46, प्लग प्रकार | Ф0.2 |
४ - ११०० |
930
| ०.६३ | 4 | ०.१ | ०.८ | >200 |
GT101Ф0.5 | Ф0.5 | 5 | ०.१ | १.२ | |||||
GT101F1 | Ф1.0 | 5 | ०.१ | २.० | |||||
GT101F2 | TO-5 | Ф2.0 | 7 | ०.५ | ६.० | ||||
GT101F4 | T0-8 | Ф4.0 | 10 | १.० | २०.० | ||||
GD3251Y | TO-8 | Ф6.0 | 20 | 10 | 30 | ||||
GT101F8 | T0-8 | Ф8.0 | 20 | ३.० | ७०.० | ||||
GD3252Y | T0-8 | ५.८×५.८ | 25 | 10 | 35 |