1064nm Si PIN photodiode वैशिष्ट्यीकृत प्रतिमा

1064nm Si PIN फोटोडायोड

मॉडेल: GT102Ф0.2/ GT102Ф0.5/ GT102Ф1/ GT102Ф2/ GT102Ф4/ GD3310Y/ GD3217Y

संक्षिप्त वर्णन:

हे Si PIN फोटोडिओड आहे जे रिव्हर्स बायस अंतर्गत कार्य करते आणि UV ते NIR पर्यंत उच्च संवेदनशीलता प्रदान करते.शिखर प्रतिसाद तरंगलांबी 980nm आहे.उत्तरदायित्व: 0.3A/W वर 1064 nm.

कोट मिळवा डाउनलोड करा

तांत्रिक मापदंड

उत्पादन टॅग

वैशिष्ट्ये

समोरील बाजूने प्रकाशित रचना
कमी गडद प्रवाह
उच्च प्रतिसाद
उच्च विश्वसनीयता

अर्ज

ऑप्टिकल फायबर कम्युनिकेशन, सेन्सिंग आणि रेंजिंग
UV ते NIR पर्यंत ऑप्टिकल डिटेक्शन
जलद ऑप्टिकल-पल्स शोध
उद्योगासाठी नियंत्रण प्रणाली

फोटोइलेक्ट्रिक पॅरामीटर (@Ta=25℃)

आयटम #	पॅकेज श्रेणी	प्रकाशसंवेदनशील पृष्ठभागाचा व्यास(मिमी)	स्पेक्ट्रल प्रतिसाद श्रेणी (nm)	पीक प्रतिसाद तरंगलांबी (nm)	उत्तरदायित्व(A/W) λ=1064nm	उगवण्याची वेळ λ=1064nm V_R=40V R_L=50Ω(ns)	गडद प्रवाह V_R=40V (nA)	जंक्शन कॅपेसिटन्स व्ही_R=40V f=1MHz (pF)	ब्रेकडाउन व्होल्टेज (V)
GT102Ф0.2	समाक्षीय प्रकार II,5501,TO-46 प्लग प्रकार	Ф0.2	४ - ११००	980	०.३	10	०.५	०.५	100
GT102Ф0.5		Ф0.5				10	१.०	०.८
GT102F1		Ф1.0				12	२.०	२.०
GT102F2	TO-5	Ф2.0				12	३.०	५.०
GT102F4	TO-8	Ф4.0				20	५.०	१२.०
GD3310Y	TO-8	Ф8.0				30	15	50
GD3217Y	TO-20	Ф10.0				50	20	70