850nm Si PIN मॉड्यूल्स

मॉडेल: GD4213Y/ GD4251Y/ GD4251Y-A/ GD42121Y

संक्षिप्त वर्णन:

हे 850nm Si PIN फोटोडायोड मॉड्यूल आहे ज्यामध्ये प्री-एम्प्लीफिकेशन सर्किट आहे जे कमकुवत वर्तमान सिग्नलला प्रवर्धित करण्यास सक्षम करते आणि फोटॉन-फोटोइलेक्ट्रिक-सिग्नल अॅम्प्लीफिकेशनची रूपांतरण प्रक्रिया साध्य करण्यासाठी व्होल्टेज सिग्नलमध्ये रूपांतरित करते.

कोट मिळवा डाउनलोड करा

तांत्रिक मापदंड

उत्पादन टॅग

वैशिष्ट्ये

हाय-स्पीड प्रतिसाद
उच्च संवेदनशीलता

अर्ज

लेझर फ्यूज

फोटोइलेक्ट्रिक पॅरामीटर (@Ta=22±3℃)

आयटम #	पॅकेज श्रेणी	प्रकाशसंवेदनशील पृष्ठभागाचा व्यास(मिमी)	उत्तरदायित्व	उगवण्याची वेळ (ns)	डायनॅमिक श्रेणी (dB)	ऑपरेटिंग व्होल्टेज (V)	आवाज व्होल्टेज (mV)	नोट्स
आयटम #	पॅकेज श्रेणी	प्रकाशसंवेदनशील पृष्ठभागाचा व्यास(मिमी)	λ=850nm，φ_e=1μW		λ=850nm	ऑपरेटिंग व्होल्टेज (V)	आवाज व्होल्टेज (mV)	नोट्स
GD4213Y	TO-8	2	110	12	20	±5±0.3	12	-
GD4251Y		2	130	12	20	±6±0.3	40	(घटनेचा कोन: 0°, 830nm ~ 910nm ≥90% ट्रान्समिटन्स
GD4251Y-A		10×1.5	130	18	20	±6±0.3	40
GD42121Y		10×0.95	110	20	20	±5±0.1	25
टिपा: GD4213Y चा चाचणी लोड 50Ω आहे, बाकीचे 1MΩ आहेत