1064nm APD मॉड्यूल्स

मॉडेल: GD6212Y/ GD6213Y/ GD6219Y

संक्षिप्त वर्णन:

हे प्री-एम्प्लीफिकेशन सर्किटसह वर्धित Si avalanche photodiode मॉड्यूल आहे जे फोटॉन-फोटोइलेक्ट्रिक-सिग्नल अॅम्प्लीफिकेशनची रूपांतरण प्रक्रिया साध्य करण्यासाठी कमकुवत वर्तमान सिग्नलला प्रवर्धित करण्यासाठी आणि व्होल्टेज सिग्नलमध्ये रूपांतरित करण्यास सक्षम करते.

कोट मिळवा डाउनलोड करा

तांत्रिक मापदंड

उत्पादन टॅग

वैशिष्ट्ये

समोरील बाजूने प्रकाशित फ्लॅट चिप
हाय-स्पीड प्रतिसाद
उच्च APD लाभ

अर्ज

लेझर श्रेणी
लेझर संप्रेषण
लेझर चेतावणी

फोटोइलेक्ट्रिक पॅरामीटर (@Ta=22±3℃)

आयटम #	पॅकेज श्रेणी	प्रकाशसंवेदनशील पृष्ठभागाचा व्यास(मिमी)	स्पेक्ट्रल प्रतिसाद श्रेणी (nm)	ब्रेकडाउन व्होल्टेज (V)	उत्तरदायित्व M=100 λ=1064nm (kV/W)	उगवण्याची वेळ (ns)	बँडविड्थ (MHz)	तापमान गुणांक Ta=-40℃～85℃ (V/℃)	आवाज समतुल्य शक्ती (pW/√Hz)	एकाग्रता (μm)	इतर देशांमध्ये बदललेला प्रकार
GD6212Y	TO-8	०.८	40-1100	350-500	150	८.८	40	२.२	0.15	≤50	C30950
GD6213Y		०.८			200	2	१७५	२.२	0.15		C30659-1060-R8BH
GD6219Y		3			280	7	50	२.४	०.२७		C30659-1060-3A